高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

1.方案介紹

亞成微基于ZVS反激電源控制芯片RM6801SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高性能、低功耗60W 氮化鎵（GaN）快充方案，具有體積小、效率高（效率Max >93%）、待機功耗低（功耗<60mW）、系統功能完備等特點。方案采用亞成微專有ZVS技術降低GaNFET開關損耗，改善EMI特性。專有驅動技術，直驅E-MODE GaN功率器件，省去外置驅動器件，并通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合，實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局，有效的提高了產品效率及功率密度，幫助快充電源廠商加速高性能大功率快充量產并節省物料成本。

2.方案特點

■ 輸出規格：5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3A；

■ 效率(Max)>93%，待機功耗<60mW，滿足六級能效標準，EMI特性優良；

■ 專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗，改善EMI特性；

■ 采用專有驅動技術，直驅E-MODE GaN功率器件，省去外置驅動器件，提高產品效率及功率密度；

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作頻率；

■ 內置700V高壓啟動，集成X-CAP放電功能；

■ 低啟動電流和低工作電流設計；

■ 內置特有抖頻技術改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能；

■ 集成AC輸入Brown out/in功能；